氮化硼可制備半導體器件

文章出處：天元航材責任編輯：天元化工新材廠家發布時間：2020-03-26 08:48:01 點擊數：88 【大 中 小】

[導讀]：氮化硼可以應用制備半導體元器件上面，最早是日本科學技術廳無機材料研究所利用生長大的單晶體立方氮化硼(c-BN)的最新技術成果,成功地制造了世界上第一個能在650℃溫度下穩定工作的p-n結型二極管...

氮化硼可制備半導體器件

氮化硼可以應用制備半導體元器件上面，最早是日本科學技術廳無機材料研究所利用生長大的單晶體立方氮化硼(c-BN)的最新技術成果,成功地制造了世界上第一個能在650℃溫度下穩定工作的p-n結型二極管。

在此之前普遍用的是硅半導體目前廣泛用作電子器件材料,但在200℃以上時失效。因此試圖研究一種可用于極高溫度環境,如外層空間和核反應堆的新型高溫半導體材料。在這方面,剛度和可熔性等于金剛石的材料是值得考慮的。金剛石的基礎材料是石墨，石墨的導熱性能好，同時，與石墨性質相同，被稱為白石墨的氮化硼列入研究員的視野。經過一系列研發，最終成品以氮化硼材料制成了高溫半導體p-n結器件.它在650℃下,仍能正常工作,比目前廣泛應用的硅器件,在使用溫度方面,一下提高了3倍多.可以想象,這種材料將給半導體工業帶來廣闊的前景,是一個重大的突破.這也將促使開發氮化硼衍的生品六方氮化硼等系新材料更多的用途。

氮化硼

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