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現代，電子元件和信通的體積不斷變小，速度不斷變快，對熱處理和可靠性形成了巨大的挑戰，尤其是使用壽命淪為關鍵問題，局部高熱流熱點的熱管理是大功率電子器件的關鍵，不理想的散熱會造成芯片中特殊區域溫度過高，影響電子系統性能和電子器件的可靠性，近年來，二維氮化硼被提出可作為一種有前景的散熱材料，很多學者報道了而為氮化硼在大功率晶體管熱管理中的應用。
單層二維氮化硼又被稱為白色石墨，現已成為二維材料家族中的重要一員，它具有與石墨烯類似的結構特征和晶格參數，近年來收到科研界的廣泛關注，有希望成為在電子元器件中石墨烯的替代品，目前針對二維層狀氮化硼的研究主要集中在制備、電學性能測試分析和應用價值的探討上。由于氮化硼是一種寬帶隙絕緣材料，要選擇合理恰當的方法調整帶隙結構，使其向半導體轉變，是相當有難度的工作，從另一個角度考慮二維氮化硼沿著A、B軸平面的熱導率是石英的10倍，而熱膨脹系數相當于石英，是陶瓷中最小的，同時二維氮化硼又很高的電阻率，絕緣性號，加上其物理、化學的穩定性，很適合用于電子器件中的絕緣散熱材料。
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