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六方氮化硼的晶體結構是一個非常特殊的幾個,它在每個晶體層都有互相的作用,那么這些作用具體是什么的,讓我們來看。
六方氮化硼其有與眾不同的電學和電子光學物理性質,已變成電子廠及光電子器件和納米材料各個領域的科學研究網絡熱點,并即將替代硅材料變成下代半導體材料的基本原材料。但受襯底頁面態的危害,石六方氮化硼在襯底上的遷移率通常難以達到基礎知識水準測量。與此同時,因為欠缺適合的柵物質材質,石墨烯元器件難以實現規模性模塊化。六方氮化硼三維線原子晶體(hexagonal Boron Nitride, h_BN)與六方氮化硼構造相近,具備挺高的面內彈性模量、持續高溫穩定、原子級線性的表層和非常少的表層懸架鍵,然后與石墨烯晶格常數失配特小(1.8%)。