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導熱聚合物基復合材料廣泛應用于航空航天,微電子封裝,LED照明,熱交換工程,電磁屏蔽等國防和民用領域,在現代高科技領域發揮了重要作用。然而,隨著電子設備的集成不斷增加,對材料性能提出了更高的要求。
六方氮化硼(h.BN)微米粉末是一種高導熱性填料,其結構是在SP2混合模式中等量的硼原子和氮原子與六方III-V A形成鍵,具有晶體結構類似于石墨。當將六方氮化硼(h.BN)微米粉末薄片剝離至幾納米至幾十納米的厚度時,可以獲得h-BN納米片(h-BNNS),并且其導熱性,電絕緣性,光學特性和力學性能會發生顯著的性能變化等。在填充量低的情況下,可以顯著提高聚合物材料的導熱率并且可以保持電絕緣性。然而,由于氮化硼層和層的力遠大于石墨之間的力,因此通過六方氮化硼粉末的液相剝離制備納米片更具挑戰性。目前,用于制備六方氮化硼納米片的微機械剝離方法,化學氣相沉積方法,二次外延生長方法等具有能耗高,制備時間長,產率低,制備條件苛刻等缺點。六方氮化硼納米片制備片材的液相剝離方法是一種經濟,有效和批量生產的方法。