天元航材化工原料廠家的小編今天給大家介紹下關于六方氮化硼憶阻器的相關介紹，我們是一家生產六方氮化硼（白石墨、HBN）等氮化硼化工原料的廠家，已有50年的生產工藝經驗，那么您了解什么是六角氮化硼二維薄膜的憶阻器嗎？六方氮化硼的各種缺陷對憶阻器性能有啥影響？一起來看看吧！

憶阻器，全稱記憶電阻器。最早提出憶阻器概念的人是華裔科學家蔡少棠。憶阻器是代表磁通量和電荷之間關系的電路器件。因此，憶阻器可以在很多領域發揮很大的作用，特別是在計算機運算與存儲、突觸網絡的研究中，現在人們越來越重視憶阻器的研究。

那么憶阻器是如何制作的呢？

六方氮化硼（H-BN）是一種新型寬帶隙半導體材料，具有高導熱性、熱膨脹系數、強熱穩定性、化學穩定性和高電阻率。它是制造憶阻器的首選材料。然而，基于超薄h-BN的憶阻器件一般存有工作電流高、不穩定的和適用期限短等難題，限定了這類憶阻器件在數據儲存方面的不斷發展。

以下小編給大家介紹下關于六方氮化硼的各種缺陷對憶阻器器件電學性能的影響

1、Au/H-BN/Au垂直交叉晶格憶阻器陣列分別由CVD生長的單層和多層H-BN制成。在單層H-BN和多層H-BN基憶阻器樣品中測試了100個器件，器件的產率分別為5%（單層H-BN基憶阻器）和98%（多層H-BN基憶阻器）。單層H-BN在轉移過程中受外應力影響容易形成表面裂紋，大大降低了憶阻器器件的良率。
2、每個器件的初始電阻值是從9個不同的陣列中測量的。這些陣列的產率從56.25%到100%不等，平均產率為82.29%。根據SEM圖像和掃描原子力顯微鏡（AFM）形貌，H-BN的主要表面缺陷是褶皺和雜質殘留，兩者都會引起樣品表面形貌的變化。這兩類表面缺陷的具體比例可以通過AFM形貌和AFM軟件分析得到。可以看出，表面褶皺/雜質殘留濃度與器件的初始電阻值之間沒有明顯的相關性。
3、4個不同的Au/多層H-BN/Au憶阻器的50個雙極憶阻器循環分別對應于這4個器件的4種不同的AFM形態及其缺陷率的比值。這些數據進一步證明，轉移過程中引入的二維層狀材料的形貌缺陷，如表面褶皺和殘留雜質濃度，對Au/H-BN/Au憶阻器的電學性能沒有顯著影響。
4、H-BN薄膜（生長在Cu表面）的形貌和電流通過原子力顯微鏡（CAFM）同步獲得。在三個方面：
1)H-Bn生于Cu的晶界；
2）在H-BN晶體本身的晶界處；
3）在H-BN晶界內的隨機位置發現了集中的漏電流。這些收集相對高電流的位置主要與原子鍵合缺陷有關。

5、Au/多層H-BN/Au憶阻器的器件尺寸由微米級縮小到納米級，并在100%uD7100交叉晶格納米級器件中研究了二維h-BN各種缺陷對其電學性能的影響.

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參考資料：https://baike.baidu.com/item/%E5%BF%86%E9%98%BB%E5%99%A8/2196463?fr=aladdin