今天是,天元航材時刻為您服務!天元化工出售二茂鐵,氮化硼,人造麝香,丁羥膠 等精細化工原料,【廠家直銷】【當天發貨】【品質保證】【貼心售后】
今天是,天元航材時刻為您服務!天元化工出售二茂鐵,氮化硼,人造麝香,丁羥膠 等精細化工原料,【廠家直銷】【當天發貨】【品質保證】【貼心售后】
隨著半導體芯片的不斷發展，運算速度越來越快，芯片發熱問題愈發成為制約芯片技術發展的瓶頸，熱管理對于開發高性能電子芯片至關重要。
為此，研究人員開發了一種共形六方氮化硼修飾技術，在最低溫度300攝氏度的條件下，無需催化劑直接在二氧化硅/硅片（SiO2/Si）、石英、藍寶石、單晶硅，甚至在具有三維結構的氧化硅基底表面生長高質量六方氮化硼薄膜。共形六方氮化硼具有原子尺度清潔的范德瓦爾斯介電表面，與基底共形緊密接觸，不用轉移，可直接應用于二硒化鎢等半導體材料的場效應晶體管。這也是六方氮化硼在半導體與介電襯底界面熱耗散領域的首次應用。
據介紹，芯片散熱很大程度上受到各種界面的限制，其中導電溝道附近的半導體和介電基底界面尤其重要。氮化硼的衍生產品六方氮化硼是一種理想的介電基底修飾材料，能夠改善半導體和介電基底界面。然而，六方氮化硼在界面熱耗散領域的潛在應用則往往被忽視。 “在這項技術中，共形六方氮化硼是直接在材料表面生長的，不僅完全貼合、不留縫隙，還無需轉移。”魏大程研究員說。這項技術將從嶄新的角度為解決芯片散熱問題提供新思路。
馬經理:186-9619-5531（產品咨詢）
