法國一個半導體研究小組利用氮化硼分離層來生長氮化銦鎵(InGaN)太陽能電池，然后將其從原來的藍寶石襯底上提起并放置在玻璃襯底上。

通過將氮化銦鎵電池與由硅或砷化鎵等材料制成的光伏(PV)電池結合，新的剝離技術能夠促進更高效率的能夠捕獲更廣的光譜的混合光伏器件的制造。這樣的混合結構可以在理論上提高氮化銦鎵/硅串列器件的太陽能電池效率高達30%

該技術可有助于實現生產太陽能電池時，提高效率，降低成本，能夠用于廣泛的地面和空間應用。研究人員在文章中寫道：“這種向外國襯底轉移氮化銦鎵基太陽能電池，同時提高性能的示范代表了朝著輕質、低成本和高效率光伏應用的重大進步。”

“利用這種技術，我們可以加工氮化銦鎵太陽能電池，并在底部設置一個電介質層，只收集短波長，”Ougazzaden解釋道。“較長的波長可以通過它進入底部電池。通過使用這種方法，我們可以分別優化每個表面。”

研究人員在約1300攝氏度的MOVPE（金屬有機物汽相外延）工藝下，通過在兩英寸藍寶石晶片上生長氮化硼單層，開始了這一過程。氮化硼表面涂層只有幾納米厚，并且產生具有強平面連接但弱垂直連接的晶體結構。

氮化銦鎵以微弱的范德華力附著在氮化硼上，允許太陽能電池在晶片上生長，并且在沒有損壞的情況下被移除。到目前為止，晶片單位已經手動從藍寶石中去除，但是Ougazzaden相信轉移過程可以自動化，以降低雜交生產晶片的成本。他說：“我們當然可以大規模地做到這一點。”

然后將氮化銦鎵結構放置在具有背反射器的玻璃基板上，并獲得增強的性能。除了展示現有PV結構的頂部放置之外，研究人員還希望增加其發射裝置中的銦量，以增強光吸收，并將量子阱的數量從5增加到40或50。