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氮化硼納米帶是超薄的二維III-V納米材料。根據邊緣狀態的手征分類,氮化硼納米帶可分為鋸齒形納米帶和扶手椅納米帶。根據相關原理計算表明,Z字形氮化硼納米帶的帶隙與納米帶寬度有關,可通過外部電場和不同程度的邊緣氫化來調節。盡管塊狀六方氮化硼晶體是電絕緣的,但是氮化硼納米帶可以通過邊緣氫化,氟化和氧官能化而制成半金屬導電性質。因此,氮化硼納米帶對納米級電子,自旋電子學,光電子學等具有廣泛的應用。所有這些應用都需要大量高質量的氮化硼納米帶。然而,氮化硼納米帶的合成非常具有挑戰性,并且目前氮化硼納米帶的產生非常低。