熱解氮化硼（PBN）材料具有高純度、化學惰性以及優異的結構和性能使其成為元素提純、化合物及化合物半導體晶體生長的理想容器，尤其是用于制備新一代化合物半導體GaAs、InP等，同時還廣泛應用于航空、航天、電子、化工、特種冶金、醫療等各個領域。PBN的主要用途如下：

（1）化合物半導體單晶生長用容器

化合物半導體單晶（比如GaAs、InP等）的生長需要極其嚴格的環境，包括溫度、原料純度以及生長容器純度等。PBN是目前化合物半導體單晶生長用最為理想的容器，無可替代。化合物半導體單晶生長方法目前主要有液封直拉法（LEC）、水平布里曼法（HB）和垂直布里曼法（VB和VGF）等方法，對應的PBN有LEC坩堝、VB坩堝和VGF坩堝等等；

（2）分子束外延用束源坩堝

分子束外延（MBE）是當今世界最重要的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導體晶體外延生長工藝之一。PBN坩堝是MBE過程中用作裝蒸發元素和化合物最佳的容器；

（3）OLED用坩堝

OLED想必大家應該都不會陌生了，最近非常火熱。據說iphone 8要開始采用OLED屏幕了。OLED用坩堝就是在OLED生產線上作為蒸發元容器所用。

（4）PBN 環和片

PBN在超高真空下可被加熱到2300℃而不發生分解，具有很高的純度，達到99.99%以上，高溫下不釋放氣體雜質等諸多優良特性，這些特性使得PBN可以被加工成不同形狀的環和片，從而廣泛的應用于高溫、真空、MBE和OLED等領域，作為支撐架、絕緣件和墊片等使用。

（5）PBN 涂層

在液相外延和MOCVD中，PBN常用來對設備中的石墨件進行涂層保護，還可以作為石墨加熱器的外涂層(PG/PBN加熱器)，從而防止石墨發熱體在高溫下發生揮發。另外，由于PBN薄膜具有極高的化學惰性，可以作為半導體刻蝕工藝中的隔膜或鈍化膜；